KTS3C3F30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTS3C3F30L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KTS3C3F30L
KTS3C3F30L Datasheet (PDF)
kts3c3f30l.pdf
SMD Type ICSMD Type ICTMSTripFET Power MOSFETKTS3C3F30LFeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=50mTypical RDS(on) (N-Channel)=140mStandard outline for easyautomated surface mount assemblyLow threshold driveAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 30VDrain-gate Voltage (RGS =20k ) VDGR 30Gate-to-Source
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918