KTS3C3F30L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTS3C3F30L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KTS3C3F30L datasheet

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KTS3C3F30L

SMD Type IC SMD Type IC TM STripFET Power MOSFET KTS3C3F30L Features Typical RDS(on) (N-Channel)=50m Typical RDS(on) (N-Channel)=140m Standard outline for easy automated surface mount assembly Low threshold drive Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage (VGS =0) VDS 30 V Drain-gate Voltage (RGS =20k ) VDGR 30 Gate-to-Source

Otros transistores... KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, KTHD3100C, KTK7132E, KTS1C1S250, IRF2807, KU310N10F, KU3600N10W, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL, KUK114-50L, KUK128-50DL, KUK129-50DL