KTS3C3F30L Todos los transistores

 

KTS3C3F30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTS3C3F30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KTS3C3F30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  kexin
 kts3c3f30l.pdf pdf_icon

KTS3C3F30L

SMD Type ICSMD Type ICTMSTripFET Power MOSFETKTS3C3F30LFeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=50mTypical RDS(on) (N-Channel)=140mStandard outline for easyautomated surface mount assemblyLow threshold driveAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 30VDrain-gate Voltage (RGS =20k ) VDGR 30Gate-to-Source

Otros transistores... KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , IRFB31N20D , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL , KUK114-50L , KUK128-50DL , KUK129-50DL .

History: AP6N4R0I

 

 
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