KTS3C3F30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KTS3C3F30L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de KTS3C3F30L MOSFET
KTS3C3F30L Datasheet (PDF)
kts3c3f30l.pdf

SMD Type ICSMD Type ICTMSTripFET Power MOSFETKTS3C3F30LFeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=50mTypical RDS(on) (N-Channel)=140mStandard outline for easyautomated surface mount assemblyLow threshold driveAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 30VDrain-gate Voltage (RGS =20k ) VDGR 30Gate-to-Source
Otros transistores... KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , IRFB31N20D , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL , KUK114-50L , KUK128-50DL , KUK129-50DL .
History: SQ3427EV | SQ2308BES | IXFK32N90P | NTMFS4927NT1G | FTK3134KD | BRCS30N02DP | FQL50N40
History: SQ3427EV | SQ2308BES | IXFK32N90P | NTMFS4927NT1G | FTK3134KD | BRCS30N02DP | FQL50N40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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