KTS3C3F30L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTS3C3F30L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KTS3C3F30L
KTS3C3F30L Datasheet (PDF)
kts3c3f30l.pdf

SMD Type ICSMD Type ICTMSTripFET Power MOSFETKTS3C3F30LFeaturesTypical RDS(on) (N-Channel)=50mTypical RDS(on) (N-Channel)=140mStandard outline for easyautomated surface mount assemblyLow threshold driveAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage (VGS =0) VDS 30VDrain-gate Voltage (RGS =20k ) VDGR 30Gate-to-Source
Другие MOSFET... KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , NCEP15T14 , KU310N10F , KU3600N10W , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL , KUK114-50L , KUK128-50DL , KUK129-50DL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058