KU3600N10W Todos los transistores

 

KU3600N10W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KU3600N10W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

KU3600N10W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  kec
 ku3600n10w.pdf pdf_icon

KU3600N10W

KU3600N10WSEMICONDUCTORN CHANNEL TRENCH MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and DC/DC Converters.FEATURES VDSS(Min.)= 100V, ID= 1.7ADrain-Source ON Resistan

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History: BRCS90P03DP | BUK7Y153-100E | HAT3019R | VBZ3442 | VN2110 | IRLU3705Z | IMW120R140M1H

 

 
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