KU3600N10W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KU3600N10W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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KU3600N10W datasheet

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KU3600N10W

KU3600N10W SEMICONDUCTOR N CHANNEL TRENCH MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and DC/DC Converters. FEATURES VDSS(Min.)= 100V, ID= 1.7A Drain-Source ON Resistan

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