KU3600N10W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU3600N10W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для KU3600N10W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU3600N10W даташит

 ..1. Size:600K  kec
 ku3600n10w.pdf pdf_icon

KU3600N10W

KU3600N10W SEMICONDUCTOR N CHANNEL TRENCH MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and DC/DC Converters. FEATURES VDSS(Min.)= 100V, ID= 1.7A Drain-Source ON Resistan

Другие IGBT... KTD2005, KTD2017, KTHC5513, KTHD3100C, KTK7132E, KTS1C1S250, KTS3C3F30L, KU310N10F, IRFZ24N, KUK108-50DL, KUK109-50DL, KUK110-50GL, KUK114-50L, KUK128-50DL, KUK129-50DL, KUK130-50DL, KUK7105-40AIE