KU3600N10W - аналоги и даташиты транзистора

 

KU3600N10W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KU3600N10W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для KU3600N10W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU3600N10W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  kec
 ku3600n10w.pdf pdf_icon

KU3600N10W

KU3600N10WSEMICONDUCTORN CHANNEL TRENCH MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and DC/DC Converters.FEATURES VDSS(Min.)= 100V, ID= 1.7ADrain-Source ON Resistan

Другие MOSFET... KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F , AON6380 , KUK108-50DL , KUK109-50DL , KUK110-50GL , KUK114-50L , KUK128-50DL , KUK129-50DL , KUK130-50DL , KUK7105-40AIE .

History: IPB180N04S3-02 | LPL4459

 

 
Back to Top

 


 
.