KU3600N10W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KU3600N10W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.2 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для KU3600N10W
KU3600N10W Datasheet (PDF)
..1. Size:600K kec
ku3600n10w.pdf
ku3600n10w.pdf
KU3600N10WSEMICONDUCTORN CHANNEL TRENCH MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and DC/DC Converters.FEATURES VDSS(Min.)= 100V, ID= 1.7ADrain-Source ON Resistan
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
