PHB69N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB69N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOT404

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PHB69N03LT datasheet

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PHB69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 14 m (VGS

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PHB69N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB69N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 A trench technology. The devic

Otros transistores... PHB44N06LT, PHB45N03LT, PHB4N60E, PHB50N03LT, PHB50N06LT, PHB55N03LT, PHB60N06LT, PHB65N06LT, 4435, PHB6N50E, PHB6N60E, PHB6ND50E, PHB7N60E, PHB80N06LT, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E