PHB69N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHB69N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 69 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOT404
Аналог (замена) для PHB69N03LT
PHB69N03LT Datasheet (PDF)
phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS
phb69n03t 1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB69N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 Atrench technology. The devic
Другие MOSFET... PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , PHB60N06LT , PHB65N06LT , 4435 , PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E .
![PHB69N03LT](https://alltransistors.com/images/us.png)
![PHB69N03LT](https://alltransistors.com/images/es.png)
![PHB69N03LT](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C