Справочник MOSFET. PHB69N03LT

 

PHB69N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB69N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для PHB69N03LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB69N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  philips
 phb69n03lt phd69n03lt php69n03lt 7.pdf pdf_icon

PHB69N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP69N03LT, PHB69N03LT Logic level FET PHD69N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 69 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 12 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 14 m (VGS

 6.1. Size:53K  philips
 phb69n03t 1.pdf pdf_icon

PHB69N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB69N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 Atrench technology. The devic

Другие MOSFET... PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , PHB60N06LT , PHB65N06LT , 2SK3568 , PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E .

 

 
Back to Top

 


 
.