KW306 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KW306

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KW306 datasheet

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KW306

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel Silicon MOSFET High Speed Switching KW306 Features High density mounting is possible because of the complex type which holds low-on-resistance,very-high-speed-switching and 4-volt-drive N-/P-channel/ MOSFETS Low ON-state resistance 1 Source1 5 Drain2 2 Gate1 6 Drain2 3 Source2 7 Drain1 4 Gate2 8 Drain1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Pa

Otros transistores... KUK7606-75B, KUK7607-30B, KUK7607-55B, KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, IRF3205, KX020N06, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I