KW306 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KW306
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 300 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KW306 Datasheet (PDF)
kw306.pdf
SMD Type ICSMD Type ICN-Channel Silicon MOSFET High Speed SwitchingKW306FeaturesHigh density mounting is possible because of the complex typewhich holds low-on-resistance,very-high-speed-switchingand 4-volt-drive N-/P-channel/ MOSFETSLow ON-state resistance1 : Source1 5: Drain22: Gate1 6: Drain23 : Source2 7: Drain14: Gate2 8: Drain1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Pa
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .