KW306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KW306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KW306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KW306 даташит

 ..1. Size:52K  kexin
 kw306.pdf pdf_icon

KW306

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel Silicon MOSFET High Speed Switching KW306 Features High density mounting is possible because of the complex type which holds low-on-resistance,very-high-speed-switching and 4-volt-drive N-/P-channel/ MOSFETS Low ON-state resistance 1 Source1 5 Drain2 2 Gate1 6 Drain2 3 Source2 7 Drain1 4 Gate2 8 Drain1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Pa

Другие IGBT... KUK7606-75B, KUK7607-30B, KUK7607-55B, KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, IRF3205, KX020N06, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I