KX020N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX020N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT-89

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KX020N06 datasheet

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KX020N06

MOSFET e IC SMD Type SMDType IC DIP Type IC SMDType MOSFET DIP Type MOSFET SMD Type SMD Type Product specification KX020N06 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V) 200m (V = 10V) DS(ON) GS R 280m (V = 4.5V) DS(ON) GS R RDS

Otros transistores... KUK7607-30B, KUK7607-55B, KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, IRF740, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D