Справочник MOSFET. KX020N06

 

KX020N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX020N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для KX020N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX020N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  tysemi
 kx020n06.pdf pdf_icon

KX020N06

MOSFETe ICSMD TypeSMDType ICDIP Type ICSMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMD TypeSMD TypeProduct specification KX020N06 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V) 200m (V = 10V)DS(ON) GS R 280m (V = 4.5V)DS(ON) GS R RDS

Другие MOSFET... KUK7607-30B , KUK7607-55B , KUP75N08 , KVN4424Z , KVN4525E6 , KVN4525Z , KVP4424Z , KW306 , IRF740 , KX7N10L , KXP20N15 , KXU03N25 , KXU05N25 , L1N60A , L1N60F , L1N60I , L2N60D .

History: FHF2N60A | NTMFS4939NT1G | TPB70R950C | CS10N60A8HD | AP9435GP-HF | RS1G120MN | FDP8N50NZU

 

 
Back to Top

 


 
.