KX020N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX020N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для KX020N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX020N06 даташит

 ..1. Size:449K  tysemi
 kx020n06.pdf pdf_icon

KX020N06

MOSFET e IC SMD Type SMDType IC DIP Type IC SMDType MOSFET DIP Type MOSFET SMD Type SMD Type Product specification KX020N06 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V) 200m (V = 10V) DS(ON) GS R 280m (V = 4.5V) DS(ON) GS R RDS

Другие IGBT... KUK7607-30B, KUK7607-55B, KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, IRF740, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D