Справочник MOSFET. KX020N06

 

KX020N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX020N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KX020N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  tysemi
 kx020n06.pdf pdf_icon

KX020N06

MOSFETe ICSMD TypeSMDType ICDIP Type ICSMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMD TypeSMD TypeProduct specification KX020N06 Features VDS (V) = 60V ID = 2 A (VGS = 10V) 200m (V = 10V)DS(ON) GS R 280m (V = 4.5V)DS(ON) GS R RDS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP6942GMT-HF | CEU01N7 | BUK9M9R1-40E | IPD25N06S4L-30

 

 
Back to Top

 


 
.