KX7N10L Todos los transistores

 

KX7N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX7N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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KX7N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  tysemi
 kx7n10l.pdf pdf_icon

KX7N10L

SMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKX7N10LSOT-223Unit: mm Features3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2 VDS (V) = 100V ID = 1.7 A (VGS = 10V)0.90+0.2-0.2 350m (V = 10V), I =0.85ADS(ON) GS D +0.1 R 3.00-0.17.00+0.3-0.3 380m (V = 5V), I =0.85ADS(ON) GS D R 4

Otros transistores... KUK7607-55B , KUP75N08 , KVN4424Z , KVN4525E6 , KVN4525Z , KVP4424Z , KW306 , KX020N06 , IRF840 , KXP20N15 , KXU03N25 , KXU05N25 , L1N60A , L1N60F , L1N60I , L2N60D , L2N60F .

History: NCEA65NF036T4 | NCEAP016N60VD | GSM6506S | 2SK362 | PMV130ENEA | 2SK1760 | BUZ323

 

 
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