KX7N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX7N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 100 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KX7N10L

KX7N10L Datasheet (PDF)

..1. Size:1198K tysemi
kx7n10l.pdf

SMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKX7N10LSOT-223Unit: mm Features3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2 VDS (V) = 100V ID = 1.7 A (VGS = 10V)0.90+0.2-0.2 350m (V = 10V), I =0.85ADS(ON) GS D +0.1 R 3.00-0.17.00+0.3-0.3 380m (V = 5V), I =0.85ADS(ON) GS D R 4

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Liste

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