KX7N10L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX7N10L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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KX7N10L datasheet

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KX7N10L

SMDType MOSFET DIP Type MOSFET SMDType MOSFET DIP Type MOSFET SMD Type IC SMD Type IC Product specification KX7N10L SOT-223 Unit mm Features 3.50+0.2 6.50+0.2 -0.2 -0.2 VDS (V) = 100V ID = 1.7 A (VGS = 10V) 0.90+0.2 -0.2 350m (V = 10V), I =0.85A DS(ON) GS D +0.1 R 3.00-0.1 7.00+0.3 -0.3 380m (V = 5V), I =0.85A DS(ON) GS D R 4

Otros transistores... KUK7607-55B, KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, IRF840, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F