KX7N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX7N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для KX7N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX7N10L даташит

 ..1. Size:1198K  tysemi
 kx7n10l.pdf pdf_icon

KX7N10L

SMDType MOSFET DIP Type MOSFET SMDType MOSFET DIP Type MOSFET SMD Type IC SMD Type IC Product specification KX7N10L SOT-223 Unit mm Features 3.50+0.2 6.50+0.2 -0.2 -0.2 VDS (V) = 100V ID = 1.7 A (VGS = 10V) 0.90+0.2 -0.2 350m (V = 10V), I =0.85A DS(ON) GS D +0.1 R 3.00-0.1 7.00+0.3 -0.3 380m (V = 5V), I =0.85A DS(ON) GS D R 4

Другие IGBT... KUK7607-55B, KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, IRF840, KXP20N15, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F