KX7N10L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KX7N10L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
KX7N10L Datasheet (PDF)
kx7n10l.pdf
SMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKX7N10LSOT-223Unit: mm Features3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2 VDS (V) = 100V ID = 1.7 A (VGS = 10V)0.90+0.2-0.2 350m (V = 10V), I =0.85ADS(ON) GS D +0.1 R 3.00-0.17.00+0.3-0.3 380m (V = 5V), I =0.85ADS(ON) GS D R 4
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918