Справочник MOSFET. KX7N10L

 

KX7N10L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX7N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для KX7N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX7N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  tysemi
 kx7n10l.pdf pdf_icon

KX7N10L

SMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMDType MOSFETDIP Type MOSFETSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKX7N10LSOT-223Unit: mm Features3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2 VDS (V) = 100V ID = 1.7 A (VGS = 10V)0.90+0.2-0.2 350m (V = 10V), I =0.85ADS(ON) GS D +0.1 R 3.00-0.17.00+0.3-0.3 380m (V = 5V), I =0.85ADS(ON) GS D R 4

Другие MOSFET... KUK7607-55B , KUP75N08 , KVN4424Z , KVN4525E6 , KVN4525Z , KVP4424Z , KW306 , KX020N06 , IRF840 , KXP20N15 , KXU03N25 , KXU05N25 , L1N60A , L1N60F , L1N60I , L2N60D , L2N60F .

History: TPP65R600C | L1N60A | APT6038SFLLG | PZ2806HV

 

 
Back to Top

 


 
.