KXP20N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KXP20N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 332 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO-220

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KXP20N15 datasheet

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KXP20N15

MOSFET e IC SMD Type SMD pe MOSFET DIP pe MOSFET SMD Type MOSFET DIP Type MOSFET SMDType C DIPTyType C SMDType IIC DIPTyType IIC SMDType SMDType Product specification KXP20N15 Features VDS (V) = 150V RDS(ON) 0.13 (VGS = 10V) 1 Gate 2 Drain 3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage V

Otros transistores... KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, KX7N10L, 20N60, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F, L2N60I