Справочник MOSFET. KXP20N15

 

KXP20N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KXP20N15
   Маркировка: 20N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 332 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для KXP20N15

 

 

KXP20N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  tysemi
 kxp20n15.pdf

KXP20N15 KXP20N15

MOSFETe ICSMD TypeSMD pe MOSFETDIP pe MOSFETSMD Type MOSFETDIP Type MOSFETSMDType CDIPTyType CSMDType IICDIPTyType IICSMDTypeSMDTypeProduct specificationKXP20N15 Features VDS (V) = 150V RDS(ON) 0.13 (VGS = 10V)1 Gate2 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top