KXP20N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KXP20N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 332 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для KXP20N15
KXP20N15 Datasheet (PDF)
kxp20n15.pdf

MOSFETe ICSMD TypeSMD pe MOSFETDIP pe MOSFETSMD Type MOSFETDIP Type MOSFETSMDType CDIPTyType CSMDType IICDIPTyType IICSMDTypeSMDTypeProduct specificationKXP20N15 Features VDS (V) = 150V RDS(ON) 0.13 (VGS = 10V)1 Gate2 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage V
Другие MOSFET... KUP75N08 , KVN4424Z , KVN4525E6 , KVN4525Z , KVP4424Z , KW306 , KX020N06 , KX7N10L , IRF840 , KXU03N25 , KXU05N25 , L1N60A , L1N60F , L1N60I , L2N60D , L2N60F , L2N60I .
History: BR75N08 | BR50N10 | SMK630F
History: BR75N08 | BR50N10 | SMK630F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837