Справочник MOSFET. KXP20N15

 

KXP20N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KXP20N15
   Маркировка: 20N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 112 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 39.1 nC
   Время нарастания (tr): 77 ns
   Выходная емкость (Cd): 332 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для KXP20N15

 

 

KXP20N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  tysemi
 kxp20n15.pdf

KXP20N15 KXP20N15

MOSFETe ICSMD TypeSMD pe MOSFETDIP pe MOSFETSMD Type MOSFETDIP Type MOSFETSMDType CDIPTyType CSMDType IICDIPTyType IICSMDTypeSMDTypeProduct specificationKXP20N15 Features VDS (V) = 150V RDS(ON) 0.13 (VGS = 10V)1 Gate2 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top