KXP20N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KXP20N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 332 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для KXP20N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KXP20N15 даташит

 ..1. Size:267K  tysemi
 kxp20n15.pdf pdf_icon

KXP20N15

MOSFET e IC SMD Type SMD pe MOSFET DIP pe MOSFET SMD Type MOSFET DIP Type MOSFET SMDType C DIPTyType C SMDType IIC DIPTyType IIC SMDType SMDType Product specification KXP20N15 Features VDS (V) = 150V RDS(ON) 0.13 (VGS = 10V) 1 Gate 2 Drain 3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage V

Другие IGBT... KUP75N08, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, KX7N10L, 20N60, KXU03N25, KXU05N25, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F, L2N60I