KXU05N25 Todos los transistores

 

KXU05N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KXU05N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KXU05N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  kexin
 kxu05n25.pdf pdf_icon

KXU05N25

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKXU05N25 FeaturesTO-252 VDS (V) = 250VUnit: mm6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 RDS(ON) 1 (VGS = 10V) -0.1+0.2 +0.85.30-0.2 0.50-0.70.1270.80+0.1 max-0.121 32.3 0.60+0.1-0.1+0.151. Gate4.60-0.152. Drain3. Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDSS 250

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History: 2SK2483 | QM3009K | GSM8205 | AOI4146 | FDS7082N3 | AOK22N50L | PMZ200UNE

 

 
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