KXU05N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KXU05N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de KXU05N25 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KXU05N25 datasheet

 ..1. Size:105K  kexin
 kxu05n25.pdf pdf_icon

KXU05N25

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KXU05N25 Features TO-252 VDS (V) = 250V Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 RDS(ON) 1 (VGS = 10V) -0.1 +0.2 +0.8 5.30-0.2 0.50-0.7 0.127 0.80+0.1 max -0.1 2 1 3 2.3 0.60+0.1 -0.1 +0.15 1. Gate 4.60-0.15 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 250

Otros transistores... KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, IRF540, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F, L2N60I, L2N60P, L2N7002DMT1G