KXU05N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KXU05N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для KXU05N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KXU05N25 даташит

 ..1. Size:105K  kexin
 kxu05n25.pdf pdf_icon

KXU05N25

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KXU05N25 Features TO-252 VDS (V) = 250V Unit mm 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 RDS(ON) 1 (VGS = 10V) -0.1 +0.2 +0.8 5.30-0.2 0.50-0.7 0.127 0.80+0.1 max -0.1 2 1 3 2.3 0.60+0.1 -0.1 +0.15 1. Gate 4.60-0.15 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 250

Другие IGBT... KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, KX7N10L, KXP20N15, KXU03N25, IRF540, L1N60A, L1N60F, L1N60I, L2N60D, L2N60F, L2N60I, L2N60P, L2N7002DMT1G