L1N60I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: L1N60I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 11.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET L1N60I

L1N60I Datasheet (PDF)

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9.1. Size:415K lrc
l1n60.pdf

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Liste

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