L1N60I - аналоги и даташиты транзистора

 

L1N60I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: L1N60I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для L1N60I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L1N60I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  lrc
 l1n60a l1n60f l1n60i.pdf pdf_icon

L1N60I

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L1N601.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 123TO-251-3L DESCRIPTION The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 23 TO-220F-3Lcharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

 9.1. Size:415K  lrc
 l1n60.pdf pdf_icon

L1N60I

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFETL1N601.2 Amps, 600 Volts NChannelThe LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1TO- 251characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppli

Другие MOSFET... KW306 , KX020N06 , KX7N10L , KXP20N15 , KXU03N25 , KXU05N25 , L1N60A , L1N60F , IRF640 , L2N60D , L2N60F , L2N60I , L2N60P , L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G .

History: KU390N10P | NDT4N65 | SI1072X | BSN304 | 2SK1487 | 2SK2018-01L | IRF830B

 

 
Back to Top

 


 
.