LDN9926ET1G Todos los transistores

 

LDN9926ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LDN9926ET1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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LDN9926ET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  lrc
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LDN9926ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDN9926ET1GDual N Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6A, RDS(ON) = 29m @VGS = 4.5V.. RDS(ON) = 42m @VGS = 2.5V. N)Super high dense cell design for extremely low RDS(OHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surface mount Package.D1 D1 D2 D28 7 6 57 6 58992641 2 31 2 3 4

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History: HTD060N03 | BSS84KW | APT6045SVFRG

 

 
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