LDN9926ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LDN9926ET1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
LDN9926ET1G Datasheet (PDF)
ldn9926et1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDN9926ET1GDual N Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6A, RDS(ON) = 29m @VGS = 4.5V.. RDS(ON) = 42m @VGS = 2.5V. N)Super high dense cell design for extremely low RDS(OHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surface mount Package.D1 D1 D2 D28 7 6 57 6 58992641 2 31 2 3 4
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 30N20A | FQB33N10TM | FDA50N50 | BLS60R150F-W | DH100P70 | VBZM80N80 | 2SK2483
History: 30N20A | FQB33N10TM | FDA50N50 | BLS60R150F-W | DH100P70 | VBZM80N80 | 2SK2483



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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