LDN9926ET1G Todos los transistores

 

LDN9926ET1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LDN9926ET1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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LDN9926ET1G datasheet

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LDN9926ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LDN9926ET1G Dual N Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 6A, RDS(ON) = 29m @VGS = 4.5V. . RDS(ON) = 42m @VGS = 2.5V. N) Super high dense cell design for extremely low RDS(O High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Package. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 7 6 5 8 9926 4 1 2 3 1 2 3 4

Otros transistores... L2N60I , L2N60P , L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , AON6414A , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 .

History: LNTA7002NT1G | WMK18N70EM

 

 

 

 

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