LDN9926ET1G - описание и поиск аналогов

 

LDN9926ET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDN9926ET1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для LDN9926ET1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LDN9926ET1G даташит

 ..1. Size:323K  lrc
 ldn9926et1g.pdf pdf_icon

LDN9926ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LDN9926ET1G Dual N Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 6A, RDS(ON) = 29m @VGS = 4.5V. . RDS(ON) = 42m @VGS = 2.5V. N) Super high dense cell design for extremely low RDS(O High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Package. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 7 6 5 8 9926 4 1 2 3 1 2 3 4

Другие MOSFET... L2N60I , L2N60P , L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , AON6414A , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 .

History: IRFH5303 | FS10UM-9 | LN100 | FQA38N30 | STB9NK90Z | IRFH7914 | IRF3415SPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.