Справочник MOSFET. LDN9926ET1G

 

LDN9926ET1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LDN9926ET1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для LDN9926ET1G

 

 

LDN9926ET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  lrc
 ldn9926et1g.pdf

LDN9926ET1G LDN9926ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDN9926ET1GDual N Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 6A, RDS(ON) = 29m @VGS = 4.5V.. RDS(ON) = 42m @VGS = 2.5V. N)Super high dense cell design for extremely low RDS(OHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surface mount Package.D1 D1 D2 D28 7 6 57 6 58992641 2 31 2 3 4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top