LDP9933ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LDP9933ET1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de LDP9933ET1G MOSFET
LDP9933ET1G Datasheet (PDF)
ldp9933et1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDP9933ET1GDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.06 @ VGS = -4.5 V-4.7-20-200.10 @ VGS = -2.5 V -3.7S1 S2D2 D2 D1 D17 6 58G1 G2993341 2 3SOP-8 top view D1 D2G2S2 S1 G1P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Ste
Otros transistores... L2N60P , L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , AON6414A , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 .
History: L2SK3019LT1G
History: L2SK3019LT1G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM4025D | AGM4025A | AGM401LL | AGM401C | AGM401A | AGM4018S | AGM4012A | AGM4008LL | AGM4005LLM1 | AGM4005LL | AGM3416EL | AGM3416E | AGM3415E | AGM3407E | AGM3404EL | AGMH402C
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c