LDP9933ET1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LDP9933ET1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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LDP9933ET1G datasheet
ldp9933et1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LDP9933ET1G Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.06 @ VGS = -4.5 V -4.7 -20 -20 0.10 @ VGS = -2.5 V -3.7 S1 S2 D2 D2 D1 D1 7 6 5 8 G1 G2 9933 4 1 2 3 SOP-8 top view D1 D2 G2 S2 S1 G1 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 10 secs Ste
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History: IRF8714G | SPD09N05 | WMK099N10LG2
History: IRF8714G | SPD09N05 | WMK099N10LG2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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