LDP9933ET1G Todos los transistores

 

LDP9933ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LDP9933ET1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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LDP9933ET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  lrc
 ldp9933et1g.pdf pdf_icon

LDP9933ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDP9933ET1GDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.06 @ VGS = -4.5 V-4.7-20-200.10 @ VGS = -2.5 V -3.7S1 S2D2 D2 D1 D17 6 58G1 G2993341 2 3SOP-8 top view D1 D2G2S2 S1 G1P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Ste

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History: PHD9NQ20T | APT6013B2LLG | LNC06R230 | FHU2N60A

 

 
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