LDP9933ET1G - описание и поиск аналогов

 

LDP9933ET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDP9933ET1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для LDP9933ET1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LDP9933ET1G даташит

 ..1. Size:232K  lrc
 ldp9933et1g.pdf pdf_icon

LDP9933ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LDP9933ET1G Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.06 @ VGS = -4.5 V -4.7 -20 -20 0.10 @ VGS = -2.5 V -3.7 S1 S2 D2 D2 D1 D1 7 6 5 8 G1 G2 9933 4 1 2 3 SOP-8 top view D1 D2 G2 S2 S1 G1 P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 10 secs Ste

Другие MOSFET... L2N60P , L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , IRFB4115 , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.