Справочник MOSFET. LDP9933ET1G

 

LDP9933ET1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LDP9933ET1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для LDP9933ET1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LDP9933ET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  lrc
 ldp9933et1g.pdf pdf_icon

LDP9933ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDP9933ET1GDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.06 @ VGS = -4.5 V-4.7-20-200.10 @ VGS = -2.5 V -3.7S1 S2D2 D2 D1 D17 6 58G1 G2993341 2 3SOP-8 top view D1 D2G2S2 S1 G1P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Ste

Другие MOSFET... L2N60P , L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , IRFP250N , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 .

History: OSG60R060HT3F | HY029N10B | AOTF2146L

 

 
Back to Top

 


 
.