Справочник MOSFET. LDP9933ET1G

 

LDP9933ET1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LDP9933ET1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LDP9933ET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  lrc
 ldp9933et1g.pdf pdf_icon

LDP9933ET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LDP9933ET1GDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.06 @ VGS = -4.5 V-4.7-20-200.10 @ VGS = -2.5 V -3.7S1 S2D2 D2 D1 D17 6 58G1 G2993341 2 3SOP-8 top view D1 D2G2S2 S1 G1P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Ste

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | 2SJ542 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.