LF2805A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LF2805A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-443A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LF2805A
LF2805A Datasheet (PDF)
lf2805a.pdf
LF2805A RF Power MOSFET Transistor M/A-COM Products Released; RoHS Compliant 5W, 500-1000MHz, 28V Package Outline Features N-Channel enhancement mode device DMOS structure Lower capacitances for broadband operation Common source configuration Lower noise floor Applications Broadband linear operation 500 MHz to 1400 MHz ABSOLUTE MAXIMUM RAT
lf2802a.pdf
LF2802A RF Power MOSFET Transistor M/A-COM Products Released; RoHS Compliant 2W, 500-1000MHz, 28V Package Outline Features N-Channel enhancement mode device DMOS structure Lower capacitances for broadband operation Common source configuration Lower noise floor Applications Broadband linear operation 500 MHz to 1400 MHz ABSOLUTE MAXIMUM RAT
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Liste
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