LF2805A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LF2805A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-443A
LF2805A Datasheet (PDF)
lf2805a.pdf
LF2805A RF Power MOSFET Transistor M/A-COM Products Released; RoHS Compliant 5W, 500-1000MHz, 28V Package Outline Features N-Channel enhancement mode device DMOS structure Lower capacitances for broadband operation Common source configuration Lower noise floor Applications Broadband linear operation 500 MHz to 1400 MHz ABSOLUTE MAXIMUM RAT
lf2802a.pdf
LF2802A RF Power MOSFET Transistor M/A-COM Products Released; RoHS Compliant 2W, 500-1000MHz, 28V Package Outline Features N-Channel enhancement mode device DMOS structure Lower capacitances for broadband operation Common source configuration Lower noise floor Applications Broadband linear operation 500 MHz to 1400 MHz ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918