LN100 Todos los transistores

LN100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LN100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3000 Ohm

Encapsulados: LFGA

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros