LN100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LN100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3000 Ohm
Paquete / Cubierta: LFGA

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LN100 Datasheet (PDF)

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ln100.pdf

Supertex inc. LN1001200V CascodedN-Channel MOSFETFeatures General DescriptionThe LN100 is a 1200V cascoded N-channel MOSFET 1200V breakdown voltagewith an integrated high value high voltage resistor divider. Low threshold, 1.6V max.Multiple devices can be used in series for voltages High input impedancegreater than 1200V. A resistor divider ratio of 1000:1 is

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Liste

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