LN100 Todos los transistores

 

LN100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LN100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3000 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFGA
 

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LN100 Datasheet (PDF)

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LN100

Supertex inc. LN1001200V CascodedN-Channel MOSFETFeatures General DescriptionThe LN100 is a 1200V cascoded N-channel MOSFET 1200V breakdown voltagewith an integrated high value high voltage resistor divider. Low threshold, 1.6V max.Multiple devices can be used in series for voltages High input impedancegreater than 1200V. A resistor divider ratio of 1000:1 is

Otros transistores... L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , STP75NF75 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G .

History: BSL314PE | STN4826 | VBMB165R04 | STF35N65M5 | TPHR8504PL | MIC94052YC6TR | BLF7G27L-135

 

 
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