Справочник MOSFET. LN100

 

LN100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LN100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.003 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3000 Ohm
   Тип корпуса: LFGA
 

 Аналог (замена) для LN100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  supertex
 ln100.pdf pdf_icon

LN100

Supertex inc. LN1001200V CascodedN-Channel MOSFETFeatures General DescriptionThe LN100 is a 1200V cascoded N-channel MOSFET 1200V breakdown voltagewith an integrated high value high voltage resistor divider. Low threshold, 1.6V max.Multiple devices can be used in series for voltages High input impedancegreater than 1200V. A resistor divider ratio of 1000:1 is

Другие MOSFET... L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , STP75NF75 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G .

History: SIHF9640S | HGN028NE6AL | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014 | STD8NF25

 

 
Back to Top

 


 
.