LND01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 9 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-5
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND01
LND01 Datasheet (PDF)
lnd01.pdf
Supertex inc. LND01Lateral N-ChannelDepletion-Mode MOSFETFeatures General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitanceThis combination produces a device with the power
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Liste
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