LND01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 9 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: SOT-23-5
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LND01 datasheet
lnd01.pdf
Supertex inc. LND01 Lateral N-Channel Depletion-Mode MOSFET Features General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistance Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitance This combination produces a device with the power
Otros transistores... L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , IRFP250N , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG .
History: JFAM20N50D
History: JFAM20N50D
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