LND01 Todos los transistores

 

LND01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LND01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 9 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-5
 

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LND01 Datasheet (PDF)

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LND01

Supertex inc. LND01Lateral N-ChannelDepletion-Mode MOSFETFeatures General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitanceThis combination produces a device with the power

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History: 2SK1067 | NTD4960N | MMBF5486 | 2SK1053 | NTD4904N | MMBFJ270 | CS8205A

 

 
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