LND01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND01
Código: NDU*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 9 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.8 V
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-5
LND01 Datasheet (PDF)
lnd01.pdf

Supertex inc. LND01Lateral N-ChannelDepletion-Mode MOSFETFeatures General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitanceThis combination produces a device with the power
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: JFFM5N60C | 2SK2690-01 | GSM4896 | APT5024SFLL | RU40E25L | SFF80N20N | SML9030-220M
History: JFFM5N60C | 2SK2690-01 | GSM4896 | APT5024SFLL | RU40E25L | SFF80N20N | SML9030-220M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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