LND01 - описание и поиск аналогов

 

LND01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 9 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-5

Аналог (замена) для LND01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND01 даташит

 ..1. Size:458K  supertex
lnd01.pdfpdf_icon

LND01

Supertex inc. LND01 Lateral N-Channel Depletion-Mode MOSFET Features General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistance Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitance This combination produces a device with the power

Другие MOSFET... L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , IRFP250N , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.