LND01 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LND01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 9 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-5
Аналог (замена) для LND01
LND01 Datasheet (PDF)
lnd01.pdf

Supertex inc. LND01Lateral N-ChannelDepletion-Mode MOSFETFeatures General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitanceThis combination produces a device with the power
Другие MOSFET... L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , STP75NF75 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG .
History: 2301H | MMBFJ270 | MMBF5486 | 2SK1067 | 2SK1053 | CS8205A
History: 2301H | MMBFJ270 | MMBF5486 | 2SK1067 | 2SK1053 | CS8205A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet