Справочник MOSFET. LND01

 

LND01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-5
 

 Аналог (замена) для LND01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  supertex
 lnd01.pdf pdf_icon

LND01

Supertex inc. LND01Lateral N-ChannelDepletion-Mode MOSFETFeatures General Description Bi-directional The LND01 is a low threshold, depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced lateral DMOS structure and Low on-resistanceSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Low input capacitanceThis combination produces a device with the power

Другие MOSFET... L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , AON7408 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG .

History: SM4836NSK | P2503HEA | MPVA20N65F | IRF3710ZS | IXTT30N50L | TK20E60W | VBZE20N06

 

 
Back to Top

 


 
.