LND150N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND150N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de LND150N3 MOSFET
LND150N3 Datasheet (PDF)
lnd150.pdf

LND150N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1
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History: STU458S | 2N60L-TA3-T | DMN2005LPK | AO6608 | NMSD200B01-7 | 2SK3783
History: STU458S | 2N60L-TA3-T | DMN2005LPK | AO6608 | NMSD200B01-7 | 2SK3783



Liste
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