LND150N3 - описание и поиск аналогов

 

LND150N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND150N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для LND150N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND150N3 даташит

 8.1. Size:621K  supertex
 lnd150.pdf pdf_icon

LND150N3

LND150 N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertex s lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1

Другие MOSFET... LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , IRF9540 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G .

History: IRLU3103 | FTA07N60 | VN0104N6 | LSD60R099HT | STB9NK50Z | APM9953K | IRLL2705PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.