LND150N8 Todos los transistores

 

LND150N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LND150N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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LND150N8 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:621K  supertex
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LND150N8

LND150N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1

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History: BUK9M11-40E | KP511B

 

 
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