LND150N8 Todos los transistores

LND150N8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND150N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm

Encapsulados: SOT-89

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros