Справочник MOSFET. LND150N8

 

LND150N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND150N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для LND150N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND150N8 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:621K  supertex
 lnd150.pdf pdf_icon

LND150N8

LND150N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1

Другие MOSFET... LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , 2N7000 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G .

History: IRFS841 | DMP1245UFCL

 

 
Back to Top

 


 
.