Справочник MOSFET. LND150N8

 

LND150N8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LND150N8
   Маркировка: LN1E*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для LND150N8

 

 

LND150N8 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:621K  supertex
 lnd150.pdf

LND150N8 LND150N8

LND150N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: WST3325 | IRFSL4321

 

 
Back to Top