LNTA4001NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNTA4001NT1G
   Código: TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNTA4001NT1G

LNTA4001NT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:146K lrc
lnta4001nt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFETLNTA4001NT1G20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection3Features Low Gate Charge for Fast Switching1 Small 1.6 x 1.6 mm Footprint2 ESD Protected GateSC-89 Pb-Free Package is AvailableApplications Power Management Load Switch Level ShiftV(BR)DSS RDS(on) ID MAXTyp @ VGS (Note 1) Portabl

..2. Size:212K lrc
lnta4001nt1g s-lnta4001nt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LNTA4001NT1GSmall Signal MOSFETS-LNTA4001NT1G20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD ProtectionFeatures Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Pb-Free Package is AvailableSC-89 ESD Protected:2000VESD Protected:1500V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ESD

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: