LNTA4001NT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: LNTA4001NT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.238 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SC-89
Аналог (замена) для LNTA4001NT1G
LNTA4001NT1G Datasheet (PDF)
lnta4001nt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFETLNTA4001NT1G20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection3Features Low Gate Charge for Fast Switching1 Small 1.6 x 1.6 mm Footprint2 ESD Protected GateSC-89 Pb-Free Package is AvailableApplications Power Management Load Switch Level ShiftV(BR)DSS RDS(on) ID MAXTyp @ VGS (Note 1) Portabl
lnta4001nt1g s-lnta4001nt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LNTA4001NT1GSmall Signal MOSFETS-LNTA4001NT1G20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD ProtectionFeatures Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Pb-Free Package is AvailableSC-89 ESD Protected:2000VESD Protected:1500V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ESD
Другие MOSFET... LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , IRFP260 , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G .
History: CSD85312Q3E
History: CSD85312Q3E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815