LNTA4001NT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LNTA4001NT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.238 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SC-89
Аналог (замена) для LNTA4001NT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
LNTA4001NT1G даташит
lnta4001nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET LNTA4001NT1G 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection 3 Features Low Gate Charge for Fast Switching 1 Small 1.6 x 1.6 mm Footprint 2 ESD Protected Gate SC-89 Pb-Free Package is Available Applications Power Management Load Switch Level Shift V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Typ @ VGS (Note 1) Portabl
lnta4001nt1g s-lnta4001nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LNTA4001NT1G Small Signal MOSFET S-LNTA4001NT1G 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection Features Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Pb-Free Package is Available SC-89 ESD Protected 2000V ESD Protected 1500V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ESD
Другие MOSFET... LF2802A , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , 2SK3878 , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815


