LNTR4003NLT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNTR4003NLT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19.7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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LNTR4003NLT1G datasheet
lntr4003nlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SOT-23 LNTR4003NLT1G Features 3 Low Gate Voltage Threshold(Vgs(th))to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching ESD Protected Gate 1 Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 2 We declare that the material of product is ROHS compliant an
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History: 3SK77GR | STP7NA40 | 2SK4151
History: 3SK77GR | STP7NA40 | 2SK4151
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Liste
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