LNTR4003NLT1G - описание и поиск аналогов

 

LNTR4003NLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNTR4003NLT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для LNTR4003NLT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNTR4003NLT1G даташит

 ..1. Size:213K  lrc
 lntr4003nlt1g.pdf pdf_icon

LNTR4003NLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SOT-23 LNTR4003NLT1G Features 3 Low Gate Voltage Threshold(Vgs(th))to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching ESD Protected Gate 1 Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 2 We declare that the material of product is ROHS compliant an

Другие MOSFET... LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , 2N7002 , LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G .

History: APM9946K | LSD60R099HT | IRLL2705PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.