Справочник MOSFET. LNTR4003NLT1G

 

LNTR4003NLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNTR4003NLT1G
   Маркировка: TR8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.69 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.15 nC
   Время нарастания (tr): 47.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 19.7 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для LNTR4003NLT1G

 

 

LNTR4003NLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  lrc
 lntr4003nlt1g.pdf

LNTR4003NLT1G LNTR4003NLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFET30 V, 0.56 A, Single, N-Channel, GateESD Protection, SOT-23LNTR4003NLT1GFeatures3 Low Gate Voltage Threshold(Vgs(th))to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching ESD Protected Gate1 Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V2 We declare that the material of product is ROHS compliant an

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top