LO4459PT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LO4459PT1G
   Código: 4459
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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LO4459PT1G Datasheet (PDF)

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lo4459pt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LO4459PT1GP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe LO4459PT1G uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30Vexcellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable ID = -6.5Afor use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: