LO4459PT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LO4459PT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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LO4459PT1G datasheet
lo4459pt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LO4459PT1G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LO4459PT1G uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30V excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable ID = -6.5A for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON)
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