Справочник MOSFET. LO4459PT1G

 

LO4459PT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LO4459PT1G
   Маркировка: 4459
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для LO4459PT1G

 

 

LO4459PT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  lrc
 lo4459pt1g.pdf

LO4459PT1G LO4459PT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LO4459PT1GP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe LO4459PT1G uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30Vexcellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable ID = -6.5Afor use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top