LO4459PT1G - описание и поиск аналогов

 

LO4459PT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LO4459PT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для LO4459PT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LO4459PT1G даташит

 ..1. Size:372K  lrc
 lo4459pt1g.pdf pdf_icon

LO4459PT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LO4459PT1G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LO4459PT1G uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -30V excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable ID = -6.5A for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON)

Другие MOSFET... LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , IRF9540N , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G .

History: LF2802A | FTA07N60 | LSD60R099HT | FDC8878 | IRLL2705PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.