LP0701N3 Todos los transistores

 

LP0701N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP0701N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-92

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LP0701N3 datasheet

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LP0701N3

Supertex inc. LP0701 P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Features General Description These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Ultra-low threshold lateral MOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate High input impedance manufacturing process. This combination produces devices Low input capacitance with the power handling capabiliti

Otros transistores... LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , IRLB4132 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G .

History: 2SK4068-01 | WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L | 2SK559 | ARF446

 

 

 

 

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