LP0701N3 Todos los transistores

 

LP0701N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LP0701N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de LP0701N3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LP0701N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:569K  supertex
 lp0701.pdf pdf_icon

LP0701N3

Supertex inc.LP0701P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETFeatures General DescriptionThese enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Ultra-low thresholdlateral MOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate High input impedancemanufacturing process. This combination produces devices Low input capacitancewith the power handling capabiliti

Otros transistores... LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , 5N60 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G .

History: VBE1307 | PMV30ENEA | STP12N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.