LP0701N3 - описание и поиск аналогов

 

LP0701N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP0701N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для LP0701N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP0701N3 даташит

 8.1. Size:569K  supertex
 lp0701.pdf pdf_icon

LP0701N3

Supertex inc. LP0701 P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Features General Description These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Ultra-low threshold lateral MOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate High input impedance manufacturing process. This combination produces devices Low input capacitance with the power handling capabiliti

Другие MOSFET... LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , LP0701LG , IRLB4132 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G .

History: APTM100A23SCTG | STD12NF06T4 | IRF3000PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.