LP3401LT1G Todos los transistores

 

LP3401LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LP3401LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de LP3401LT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LP3401LT1G datasheet

 ..1. Size:646K  lrc
 lp3401lt1g.pdf pdf_icon

LP3401LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3401LT1G APPLICATIONS 1)Advanced trench process technology 2)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance. 3 3)We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 1 FEATURES 2 2)RDS(ON)

 9.1. Size:437K  lrc
 lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3401LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3407LT1G VDS -30V 3 ID (VGS = -10V) -4.1A RDS(ON) (VGS = -10V)

 9.2. Size:997K  lrc
 lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3401LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LP3407LT1G 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET S-LP3407LT1G VDS -30V 3 ID (VGS = -10V) -4.1A RDS(ON) (VGS = -10V)

Otros transistores... LO4459PT1G , LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , SKD502T , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 .

History: STB23N80K5 | IXTH67N10MA | 2SK2553S

 

 
Back to Top

 


 
.