Справочник MOSFET. LP3401LT1G

 

LP3401LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP3401LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3401LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:646K  lrc
 lp3401lt1g.pdf pdf_icon

LP3401LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETLP3401LT1GAPPLICATIONS1)Advanced trench process technology2)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance.33)We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.1FEATURES 22)RDS(ON)

 9.1. Size:437K  lrc
 lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3401LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETLP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

 9.2. Size:997K  lrc
 lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3401LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP3407LT1G30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETS-LP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STU411D | AP2306CGN-HF | MS49P63 | SSF4604 | NTTFS003N04C | IRFHM830TRPBF | CS7456

 

 
Back to Top

 


 
.