LP3407LT1G Todos los transistores

 

LP3407LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP3407LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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LP3407LT1G datasheet

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LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3407LT1G VDS -30V 3 ID (VGS = -10V) -4.1A RDS(ON) (VGS = -10V)

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LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LP3407LT1G 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET S-LP3407LT1G VDS -30V 3 ID (VGS = -10V) -4.1A RDS(ON) (VGS = -10V)

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LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3401LT1G APPLICATIONS 1)Advanced trench process technology 2)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance. 3 3)We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 1 FEATURES 2 2)RDS(ON)

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