LP3407LT1G - описание и поиск аналогов

 

LP3407LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP3407LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для LP3407LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3407LT1G даташит

 ..1. Size:437K  lrc
 lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3407LT1G VDS -30V 3 ID (VGS = -10V) -4.1A RDS(ON) (VGS = -10V)

 ..2. Size:997K  lrc
 lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LP3407LT1G 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET S-LP3407LT1G VDS -30V 3 ID (VGS = -10V) -4.1A RDS(ON) (VGS = -10V)

 9.1. Size:646K  lrc
 lp3401lt1g.pdf pdf_icon

LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3401LT1G APPLICATIONS 1)Advanced trench process technology 2)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance. 3 3)We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 1 FEATURES 2 2)RDS(ON)

Другие MOSFET... LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , K4145 , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 .

History: MMF65R600QTH | IRFH5302 | APM9946J

 

 

 

 

↑ Back to Top
.