LP3407LT1G - аналоги и даташиты транзистора

 

LP3407LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LP3407LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LP3407LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3407LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  lrc
 lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETLP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

 ..2. Size:997K  lrc
 lp3407lt1g s-lp3407lt1g.pdf pdf_icon

LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP3407LT1G30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETS-LP3407LT1GVDS -30V3ID (VGS = -10V)-4.1ARDS(ON) (VGS = -10V)

 9.1. Size:646K  lrc
 lp3401lt1g.pdf pdf_icon

LP3407LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETLP3401LT1GAPPLICATIONS1)Advanced trench process technology2)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance.33)We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.1FEATURES 22)RDS(ON)

Другие MOSFET... LP0701LG , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , IRFB3607 , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 .

History: DMNH6042SSDQ | AP10N4R5P | IRLML6302TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.