LP3443LT1G Todos los transistores

 

LP3443LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LP3443LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de LP3443LT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LP3443LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  lrc
 lp3443lt1g.pdf pdf_icon

LP3443LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3443LT1GV = -20V DSR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1003Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (TO236AB)compliance with RoHS requirements.3

Otros transistores... LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , AO4407 , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 .

History: 40P04 | LS165 | 6616 | FDZ661PZ | BRF7N60 | KTK698TV | FCPF190N60

 

 
Back to Top

 


 
.