LP3443LT1G Todos los transistores

 

LP3443LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP3443LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de LP3443LT1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LP3443LT1G datasheet

 ..1. Size:269K  lrc
 lp3443lt1g.pdf pdf_icon

LP3443LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3443LT1G V = -20V DS R Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60 m DS(ON), m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100 3 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 we declare that the material of product SOT 23 (TO 236AB) compliance with RoHS requirements. 3

Otros transistores... LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , 13N50 , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 .

History: CS3N80ARH | ELM32424LA | VS6880AT | NCE60H10F | 3N80G-TF3-T | VS6016HS-A | ST2341S23R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.