Справочник MOSFET. LP3443LT1G

 

LP3443LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP3443LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3443LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  lrc
 lp3443lt1g.pdf pdf_icon

LP3443LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3443LT1GV = -20V DSR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1003Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (TO236AB)compliance with RoHS requirements.3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK4017 | AP2306CGN-HF | AM90N06-09B | HFD2N60F | AP10P10GJ | ZXMP3A17E6 | GSM4435W

 

 
Back to Top

 


 
.