Справочник MOSFET. LP3443LT1G

 

LP3443LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LP3443LT1G
   Маркировка: P34
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для LP3443LT1G

 

 

LP3443LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  lrc
 lp3443lt1g.pdf

LP3443LT1G LP3443LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3443LT1GV = -20V DSR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1003Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (TO236AB)compliance with RoHS requirements.3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top