LP3443LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LP3443LT1G
Маркировка: P34
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для LP3443LT1G
LP3443LT1G Datasheet (PDF)
lp3443lt1g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3443LT1GV = -20V DSR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1003Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2we declare that the material of product SOT 23 (TO236AB)compliance with RoHS requirements.3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![LP3443LT1G](https://alltransistors.com/images/us.png)
![LP3443LT1G](https://alltransistors.com/images/es.png)
![LP3443LT1G](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C