LP3443LT1G - описание и поиск аналогов

 

LP3443LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP3443LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для LP3443LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP3443LT1G даташит

 ..1. Size:269K  lrc
 lp3443lt1g.pdf pdf_icon

LP3443LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP3443LT1G V = -20V DS R Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 60 m DS(ON), m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 100 3 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 we declare that the material of product SOT 23 (TO 236AB) compliance with RoHS requirements. 3

Другие MOSFET... LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , 13N50 , LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 .

History: WTC4501 | XG65T125PS1B | WM02N08G | SSH8N90A | 2SK2381 | TK4R3A06PL | WML90R500S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.