LP4101LT1G Todos los transistores

 

LP4101LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP4101LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145.54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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LP4101LT1G datasheet

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LP4101LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP4101LT1G V = -20V DS R Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 m DS(ON), m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150 3 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SOT 23 (TO 236AB) Improved Shoot-Through FOM

 ..2. Size:1030K  lrc
 lp4101lt1g s-lp4101lt1g.pdf pdf_icon

LP4101LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET V = -20V DS LP4101LT1G R Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 m DS(ON), S-LP4101LT1G m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150 Features 3 Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1 Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM 2 we declar

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History: STB37N60DM2AG | WMO18N50C4 | NTD4965N | 2SK1356 | APM9988QB | JCS4N60FB | WMM28N60F2

 

 

 

 

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