LP4101LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LP4101LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145.54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LP4101LT1G

LP4101LT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:766K lrc
lp4101lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP4101LT1GV = -20V DSR Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 1503Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SOT 23 (TO236AB)Improved Shoot-Through FOM

..2. Size:1030K lrc
lp4101lt1g s-lp4101lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET V = -20V DSLP4101LT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 mDS(ON), S-LP4101LT1GmRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM 2we declar

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Liste

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