LP4101LT1G - описание и поиск аналогов

 

LP4101LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP4101LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145.54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для LP4101LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP4101LT1G даташит

 ..1. Size:766K  lrc
 lp4101lt1g.pdf pdf_icon

LP4101LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP4101LT1G V = -20V DS R Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 m DS(ON), m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150 3 Features Advanced trench process technology 1 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2 Fully Characterized Avalanche Voltage and Current SOT 23 (TO 236AB) Improved Shoot-Through FOM

 ..2. Size:1030K  lrc
 lp4101lt1g s-lp4101lt1g.pdf pdf_icon

LP4101LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET V = -20V DS LP4101LT1G R Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100 m DS(ON), S-LP4101LT1G m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150 Features 3 Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1 Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM 2 we declar

Другие MOSFET... LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , AON7410 , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.