LP4411ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LP4411ET1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de LP4411ET1G MOSFET
LP4411ET1G Datasheet (PDF)
lp4411et1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP4411ET1GP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = -30VID = -8 A (VGS = -10V)RDS(ON)
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History: MIC94030YM4TR | TSM3N90CP | 2SK2912 | IXTU01N100D | AFN6530S | WM04N50M
History: MIC94030YM4TR | TSM3N90CP | 2SK2912 | IXTU01N100D | AFN6530S | WM04N50M
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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