LP4411ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LP4411ET1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de LP4411ET1G MOSFET
LP4411ET1G Datasheet (PDF)
lp4411et1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP4411ET1GP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = -30VID = -8 A (VGS = -10V)RDS(ON)
Otros transistores... LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , IRF1010E , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G .
History: LRK7002WT1G | 40P04 | 2SJ146 | LP3443LT1G | MMBF4117 | KTK698TV
History: LRK7002WT1G | 40P04 | 2SJ146 | LP3443LT1G | MMBF4117 | KTK698TV
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
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