LP4411ET1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LP4411ET1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de LP4411ET1G MOSFET
LP4411ET1G Datasheet (PDF)
lp4411et1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP4411ET1GP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = -30VID = -8 A (VGS = -10V)RDS(ON)
Otros transistores... LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , 4N60 , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G .
History: FCMT180N65S3 | VS3638GA | SM1105NSUB | 2SJ273 | FCP600N65S3R0 | IPB025N08N3G | BLS6G2933P-200
History: FCMT180N65S3 | VS3638GA | SM1105NSUB | 2SJ273 | FCP600N65S3R0 | IPB025N08N3G | BLS6G2933P-200
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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