LP4411ET1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LP4411ET1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для LP4411ET1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
LP4411ET1G даташит
lp4411et1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LP4411ET1G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features VDS (V) = -30V ID = -8 A (VGS = -10V) RDS(ON)
Другие MOSFET... LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , 12N60 , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet