LP4411ET1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LP4411ET1G
Маркировка: 4411
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.4 nC
Время нарастания (tr): 3.4 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для LP4411ET1G
LP4411ET1G Datasheet (PDF)
..1. Size:288K lrc
lp4411et1g.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
lp4411et1g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LP4411ET1GP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = -30VID = -8 A (VGS = -10V)RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .